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IRF6722STR1PBF中文资料

IRF6722STR1PBF图片

IRF6722STR1PBF外观图

  • 大小:264.9KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET ST; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:ST; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:13A; Package / Case:ST; Power Dissipation Pd:2.2W; Pulse Current Idm:110A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1.4V
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.3 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1320pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6722STR1PBFTR

IRF6722STR1PBF供应商

更新时间:2023-01-15 08:47:19
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